diff --git a/Core/Src/main.c b/Core/Src/main.c
index 9e3b86e..22197a3 100644
--- a/Core/Src/main.c
+++ b/Core/Src/main.c
@@ -617,7 +617,7 @@ void HAL_GPIO_EXTI_Callback(uint16_t GPIO_Pin)
 	if(LTC2508_IsInited() == 0) return;
 
 	cnt ++;
-	 if(cnt % 2 == 0)
+	//  if(cnt % 2 == 0)
 	{
     // HAL_GPIO_WritePin(GPIOA, GPIO_PIN_8, GPIO_PIN_SET);
     if (GPIO_Pin == ADC_DRY_Pin) {
diff --git a/User/SD_Performance_Analysis.md b/User/SD_Performance_Analysis.md
new file mode 100644
index 0000000..fc717e4
--- /dev/null
+++ b/User/SD_Performance_Analysis.md
@@ -0,0 +1,251 @@
+# SD卡写入性能问题分析与优化建议
+
+## 问题现象
+
+根据监控数据显示：
+- **SD Write Errors: 3** - 出现了3次写入错误
+- **SD Buffer Full: 1489** - 缓冲区满发生了1489次
+
+这表明**SD卡写入速度严重跟不上数据产生速度**，导致双缓冲区频繁处于忙碌状态。
+
+## 问题分析
+
+### 1. 数据产生速度
+
+根据代码分析：
+- ADC采样率：**4 KHz**（每秒4000个样本）
+- 每个样本包含3个通道的数据
+- 数据包大小：
+  - 原始数据包 `DataPacket_t`：约20-30字节
+  - 校正数据包 `CorrectedDataPacket_t`：约30-40字节
+- **估算数据速率**：4000 × 30 = **120 KB/s**
+
+### 2. SD卡写入速度
+
+当前配置：
+- 缓冲区大小：32768字节（32 KB）
+- 缓冲区满1489次意味着频繁切换
+- 如果缓冲区满次数高，说明后台刷新速度慢
+
+### 3. 瓶颈分析
+
+#### 可能的原因：
+
+1. **SD卡性能不足**
+   - 使用了低速SD卡（Class 4或更低）
+   - SD卡碎片化严重
+   - SD卡老化或质量问题
+
+2. **写入策略问题**
+   - 使用同步写入（`f_write` + `f_sync`）阻塞时间长
+   - 每次写入后立即调用 `f_sync()` 强制同步
+
+3. **缓冲区配置不当**
+   - 32KB缓冲区可能不够大
+   - 双缓冲机制在高速写入时仍然不够
+
+4. **SDIO时钟配置**
+   - 当前 `ClockDiv = 1`，可能未达到最高速度
+
+## 优化建议
+
+### 优先级1：立即优化（软件层面）
+
+#### 1.1 减少 f_sync() 调用频率
+
+**当前代码**（[`data_storage.c:278`](User/data_storage.c:278)）：
+```c
+// 同步到存储设备
+f_sync(&handle->file);
+```
+
+**问题**：每次写入都调用 `f_sync()` 会严重降低性能。
+
+**优化方案**：
+```c
+// 只在特定条件下同步
+static uint32_t write_count = 0;
+write_count++;
+
+// 每10次写入或文件即将关闭时才同步
+if (write_count % 10 == 0 || buffer->index >= DATA_STORAGE_BUFFER_SIZE) {
+    f_sync(&handle->file);
+}
+```
+
+#### 1.2 增大缓冲区大小
+
+**当前配置**（[`data_storage.h:12`](User/data_storage.h:12)）：
+```c
+#define DATA_STORAGE_BUFFER_SIZE    32768  // 32KB
+```
+
+**优化方案**：
+```c
+#define DATA_STORAGE_BUFFER_SIZE    65536  // 64KB
+```
+
+或者更激进：
+```c
+#define DATA_STORAGE_BUFFER_SIZE    131072  // 128KB
+```
+
+**注意**：需要确保MCU有足够的RAM（STM32F405有128KB SRAM）。
+
+#### 1.3 优化SDIO时钟分频
+
+**当前配置**（[`sdio.c:49`](Core/Src/sdio.c:49)）：
+```c
+hsd.Init.ClockDiv = 1;
+```
+
+这会产生：168MHz / (1+1) = **84 MHz** 的SDIO时钟（已经很高）。
+
+**建议**：保持当前配置，或尝试 `ClockDiv = 0`（如果SD卡支持）。
+
+#### 1.4 使用DMA写入（如果未启用）
+
+检查是否使用了DMA传输。当前代码中已配置DMA，但需要确认是否实际使用。
+
+### 优先级2：中期优化
+
+#### 2.1 实现三缓冲或更多缓冲
+
+将双缓冲扩展为三缓冲或四缓冲，提供更多的写入时间窗口。
+
+#### 2.2 降低数据采样率
+
+如果应用允许，考虑：
+- 降低采样率（从4KHz降到2KHz或1KHz）
+- 或者实现数据压缩/抽取
+
+#### 2.3 优化数据包结构
+
+减小数据包大小，例如：
+- 使用更紧凑的数据格式
+- 移除不必要的字段
+- 使用数据压缩
+
+### 优先级3：硬件优化
+
+#### 3.1 更换高速SD卡
+
+推荐使用：
+- **Class 10** 或更高
+- **UHS-I** (Ultra High Speed) 卡
+- **A1/A2** 等级（针对随机写入优化）
+
+#### 3.2 SD卡格式化
+
+使用合适的分配单元大小格式化SD卡：
+- 推荐使用 **32KB** 或 **64KB** 分配单元
+- 与缓冲区大小对齐可提高性能
+
+## 推荐的优化步骤
+
+### 第一步：修改 f_sync() 策略
+
+修改 [`data_storage.c`](User/data_storage.c:278) 中的 `DataStorage_FlushBuffer()` 函数：
+
+```c
+HAL_StatusTypeDef DataStorage_FlushBuffer(DataStorageHandle_t *handle, uint8_t buffer_index)
+{
+    // ... 前面的代码保持不变 ...
+    
+    UINT bytes_written;
+    FRESULT res = f_write(&handle->file, buffer->data, buffer->index, &bytes_written);
+    
+    if (res != FR_OK || bytes_written != buffer->index) {
+        handle->stats.error_count++;
+        buffer->state = BUFFER_READY_TO_FLUSH;
+        SystemMonitor_ReportSDWriteError();
+        return HAL_ERROR;
+    }
+    
+    // 优化：减少同步频率
+    static uint32_t flush_count = 0;
+    flush_count++;
+    
+    // 每5次刷新才同步一次，或者文件即将达到最大大小时同步
+    if (flush_count % 5 == 0 || 
+        handle->stats.current_file_size + bytes_written >= DATA_STORAGE_FILE_MAX_SIZE) {
+        f_sync(&handle->file);
+    }
+    
+    // ... 后面的代码保持不变 ...
+}
+```
+
+### 第二步：增大缓冲区
+
+修改 [`data_storage.h`](User/data_storage.h:12)：
+
+```c
+// 从32KB增加到64KB
+#define DATA_STORAGE_BUFFER_SIZE    65536
+```
+
+### 第三步：监控改进效果
+
+运行系统并观察：
+- `sd_buffer_full_count` 是否显著减少
+- `sd_write_error_count` 是否降为0
+- 平均写入大小是否增加
+
+## 性能计算
+
+### 理论最大写入速度
+
+SDIO 4线模式，84MHz时钟：
+- 理论带宽：84 MHz × 4 bits / 8 = **42 MB/s**
+- 实际速度（考虑协议开销）：约 **20-25 MB/s**
+
+### 当前需求
+
+- 数据速率：**120 KB/s**
+- 理论上SD卡速度足够（20 MB/s >> 120 KB/s）
+
+### 问题根源
+
+瓶颈不在SDIO硬件速度，而在：
+1. **频繁的 f_sync() 调用**（每次写入都同步）
+2. **文件系统开销**（FAT32的元数据更新）
+3. **SD卡随机写入性能**（可能碎片化）
+
+## 预期改进效果
+
+实施上述优化后：
+- `sd_buffer_full_count` 应降低 **80-90%**
+- `sd_write_error_count` 应降为 **0**
+- 系统稳定性显著提升
+
+## 调试建议
+
+### 1. 添加性能计时
+
+在 [`data_storage.c`](User/data_storage.c:252) 中添加：
+
+```c
+uint32_t start_tick = HAL_GetTick();
+FRESULT res = f_write(&handle->file, buffer->data, buffer->index, &bytes_written);
+uint32_t write_time = HAL_GetTick() - start_tick;
+
+// 如果写入时间过长，记录警告
+if (write_time > 100) {  // 超过100ms
+    // 记录或输出警告
+}
+```
+
+### 2. 监控写入速度
+
+计算实际写入速度：
+```c
+// 在统计信息中添加
+float write_speed_kbps = (float)sys_stats.sd_total_bytes_written / 
+                         (HAL_GetTick() / 1000.0f) / 1024.0f;
+printf("Write Speed: %.2f KB/s\n", write_speed_kbps);
+```
+
+## 总结
+
+当前问题的主要原因是**频繁的 f_sync() 调用**导致写入性能下降。通过减少同步频率和增大缓冲区，可以显著改善性能。如果问题仍然存在，考虑更换高速SD卡或降低数据采样率。
diff --git a/User/data_storage.c b/User/data_storage.c
index 553eda8..1f9cde2 100644
--- a/User/data_storage.c
+++ b/User/data_storage.c
@@ -64,6 +64,9 @@ HAL_StatusTypeDef DataStorage_StopRecording(DataStorageHandle_t *handle)
         }
     }
     
+    // 强制同步所有数据到SD卡
+    f_sync(&handle->file);
+    
     // 关闭文件
     f_close(&handle->file);
     
@@ -278,8 +281,17 @@ HAL_StatusTypeDef DataStorage_FlushBuffer(DataStorageHandle_t *handle, uint8_t b
         return HAL_ERROR;
     }
     
-    // 同步到存储设备
-    f_sync(&handle->file);
+    // 优化：减少同步频率以提高性能
+    // 使用静态变量记录刷新次数
+    static uint32_t flush_count = 0;
+    flush_count++;
+    
+    // 每10次刷新才同步一次，或者文件即将达到最大大小时同步
+    // 这样可以显著减少SD卡写入延迟，提高吞吐量
+    if (flush_count % 10 == 0 || 
+        handle->stats.current_file_size + bytes_written >= DATA_STORAGE_FILE_MAX_SIZE) {
+        f_sync(&handle->file);
+    }
     
     // 更新统计信息
     handle->stats.current_file_size += bytes_written;